[发明专利]一种p型铕镉锑基热电材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810042323.1 申请日: 2008-08-29
公开(公告)号: CN101345284A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 张辉;赵景泰;汤美波;满振勇;杨昕昕 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01L35/18 分类号: H01L35/18;C22C30/00;C22C1/04;B22F3/105
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种p型铕镉锑基热电材料及制备方法,属于热电材料的技术领域。本发明提出的p型铕镉锑基材料,其特征在于组成为AxByCz(x=0.9-1.1,y=1.8-2.2,z=1.8-2.2):A为Eu或Eu与Mg、Ca、Sr、Yb的组合;B为Cd或Cd与Mg、Mn、Zn的组合;C为Sb或Sb与P、As、Bi的组合。本发明的制备方法分为配料、合成和烧结三步。本发明涉及的p型铕镉锑基热电材料在300~400℃附近,具高的热电转换效率,如p型铕镉锑热电材料在中温377℃附近的优值系数达0.66,优化的p型铕镉锑基热电材料可作为中温热电转换器件。
搜索关键词: 一种 型铕镉锑基 热电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种p型铕镉锑基热电材料,其特征在于组成式为AxByCz,其中A为Eu或Eu与Mg、Ca、Sr、Yb的组合;B为Cd或Cd与Mg、Mn、Zn的组合;C为Sb或Sb与P、As、Bi的组合;其中x=0.9-1.1;y=1.8-2.2;z=1.8-2.2。
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