[发明专利]一种p型铕镉锑基热电材料及其制备方法无效
申请号: | 200810042323.1 | 申请日: | 2008-08-29 |
公开(公告)号: | CN101345284A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 张辉;赵景泰;汤美波;满振勇;杨昕昕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L35/18 | 分类号: | H01L35/18;C22C30/00;C22C1/04;B22F3/105 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种p型铕镉锑基热电材料及制备方法,属于热电材料的技术领域。本发明提出的p型铕镉锑基材料,其特征在于组成为AxByCz(x=0.9-1.1,y=1.8-2.2,z=1.8-2.2):A为Eu或Eu与Mg、Ca、Sr、Yb的组合;B为Cd或Cd与Mg、Mn、Zn的组合;C为Sb或Sb与P、As、Bi的组合。本发明的制备方法分为配料、合成和烧结三步。本发明涉及的p型铕镉锑基热电材料在300~400℃附近,具高的热电转换效率,如p型铕镉锑热电材料在中温377℃附近的优值系数达0.66,优化的p型铕镉锑基热电材料可作为中温热电转换器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 型铕镉锑基 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种p型铕镉锑基热电材料,其特征在于组成式为AxByCz,其中A为Eu或Eu与Mg、Ca、Sr、Yb的组合;B为Cd或Cd与Mg、Mn、Zn的组合;C为Sb或Sb与P、As、Bi的组合;其中x=0.9-1.1;y=1.8-2.2;z=1.8-2.2。
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