[发明专利]栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法无效
| 申请号： | 200810042462.4 | 申请日： | 2008-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101667041A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 周波;陈嵩;张卫民;施训志 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/19 | 分类号： | G05D23/19;H01L21/283;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法，以提高形成栅电介质层的成功率。该系统包括：温度保持单元，用于将温度保持在预定值，所述温度能够影响形成的栅电介质层的性质；当前温度获得单元，用于在栅电介质层形成过程中，获得当前温度；判断单元，用于判断该当前温度是否处于预定范围内；以及控制单元，用于在未处于预定范围内的情况下，控制温度保持单元，使温度处于该预定范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 形成 过程 使用 温度 控制系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统，包括温度保持单元，用于将温度保持在预定值，其特征在于，还包括：当前温度获得单元，用于在栅电介质层形成过程中，获得当前温度；判断单元，用于判断该当前温度是否处于预定范围内；以及控制单元，用于在当前温度未处于预定范围内的情况下，控制温度保持单元，使当前温度处于该预定范围内。
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