[发明专利]一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200810042500.6 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101350364A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈韬;屈新萍;刘书一;万景;茹国平;蒋玉龙 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/36 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;张磊 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化锌 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米氧化锌场效应晶体管，包括栅电极、栅绝缘层、源漏电极和导电沟道层，其特征在于所述场效应晶体管的沟道层为横向生长的ZnO纳米棒结构；其中栅电极和源漏电极材料厚度为50nm-1um，栅绝缘层厚度为10nm-500nm，导电沟道层的厚度为10nm-200nm。
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