[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该制造方法在基板上依次形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、第二金属层和透明导电层，其中在第一金属层上形成有栅极和栅极接垫，在第二金属层上形成有源极、漏极和数据接垫，在透明导电层上形成有像素电极以及和栅极接垫、数据接垫电接触的透明电极。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法通过透明电极和接垫连接断续的栅极线、数据线，可把光罩数减少到三个，降低成本。另外，由于曝光次数的减少，每次曝光之间的误差也减少了，提高了产量和成品率。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，并该基板上形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、第二金属层，然后涂布光刻胶，其中所述第一金属层具有栅极接垫区和储存电容区，所述有源层具有薄膜晶体管沟道区，所述第二金属层具有数据接垫区、薄膜晶体管源极区和漏极区；利用第一光罩形成一第一光刻胶图案，其中覆盖所述数据接垫区、薄膜晶体管源极区和漏极区的光刻胶层具有第一高度，覆盖所述薄膜晶体管沟道区的光刻胶具有第二高度，覆盖所述栅极接垫区和储存电容区的光刻胶层具有第三高度，该第一高度大于第二高度大于第三高度；以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分的该第二金属层、有源层、欧姆接触层、栅绝缘层和第一金属层；去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被第三高度光刻胶层所覆盖的栅极接垫区和储存电容区，经刻蚀形成栅极和储存电容；继续去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被第二高度光刻胶层所覆盖的薄膜晶体管沟道区，去除该沟道区的第二金属层和欧姆接触层以形成沟道；继续去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被第一高度光刻胶层所覆盖的薄膜晶体管的源极，漏极及数据接垫；利用一第二光罩形成钝化层，经曝光、显影、刻蚀后，暴露栅极接垫和数据接垫；利用一第三光罩形成像素电极，以及一透明电极于所述暴露栅极接垫之上，一透明电极于所述暴露数据接垫之上。