[发明专利]不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法有效
| 申请号： | 200810043687.1 | 申请日： | 2008-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101644898A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法，包括以下步骤：(1)在标准光刻掩模板上平行放置两排测试图形：第一排测试图形为参考光刻倍率对应的外框测试图形；第二排测试图形为对比光刻倍率对应的内框测试图形；(2)用参考光刻倍率的光刻机对准第一排测试图形，进行第一次光刻工艺，在硅片上形成外框光刻图形；(3)用对比光刻倍率的光刻机对准第二排测试图形，进行第二次光刻工艺，形成内框光刻图形；(4)测量外框光刻图形和内框光刻图形的套刻差，得到套刻精度差值。本发明不需要标准片即可测得不同倍率光刻机之间的套刻精度偏差，避免多块标准光刻版在反复使用之后引入的套刻偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 不同 倍率 光刻 之间 精度 测量方法 | ||
【主权项】：
1、一种不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法；其特征在于，包括如下步骤：(1)在标准光刻掩模板上平行放置两排测试图形：第一排测试图形为参考光刻倍率对应的外框测试图形；第二排测试图形为对比光刻倍率对应的内框测试图形；(2)用参考光刻倍率的光刻机对准第一排测试图形，进行第一次光刻工艺，在硅片上形成外框光刻图形；(3)用对比光刻倍率的光刻机对准第二排测试图形，在所述外框光刻图形范围进行第二次光刻工艺，形成内框光刻图形；(4)测量所述外框光刻图形和内框光刻图形的套刻差，得到所述参考光刻倍率光刻机与所述对比光刻倍率光刻机之间的套刻精度差值。
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