[发明专利]半导体制备中源漏注入结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体制备中源漏注入结构的制备方法，其通过先一次光刻显影后的光刻胶图形为掩膜进行源漏注入区的离子注入，而后干法刻蚀去除多晶硅栅侧面的光刻胶，再进行轻掺杂漏注入，形成轻掺杂漏区。利用本发明的制备方法，只需一次光刻显影，且省略了侧墙工艺，可广泛用于半导体器件制备中。

主权项

1、一种半导体制备中源漏注入结构的制备方法，所述源漏注入结构包括源漏区和轻掺杂漏区，其特征在于，在硅片上淀积作为多晶硅栅的多晶硅之后，包括如下步骤：1)涂光刻胶，对所述多晶硅进行光刻和显影，以显影后的光刻胶图形为掩膜，刻蚀多晶硅形成多晶硅栅，并去除光刻胶并清洗；2)在硅片上淀积氧化硅，用作氧化硅衬垫层；3)涂光刻胶，光刻和显影后形成的光刻胶图形作为源漏注入区注入时的掩膜；4)进行源漏注入区的离子注入，形成源漏注入区；5)干法刻蚀横向削减去除多晶硅栅侧面的光刻胶，使光刻胶图形的开口变大到预定数值；6)以开口变大后的光刻胶图形为掩膜，进行轻掺杂漏区的离子注入，形成轻掺杂漏区；7)去除光刻胶并清洗。