[发明专利]可编程光罩及其使用方法和该光罩的用途无效
申请号: | 200810043747.X | 申请日: | 2008-08-28 |
公开(公告)号: | CN101661217A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 王雷 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01S5/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体制造中光刻用光罩及其使用方法和该光罩的用途。本发明公开的可编程光罩,包括光罩体,所述光罩体包括有激光器阵列,该激光器阵列由两个以上激光器组成;由控制电路连接每一个激光器,控制电路控制每一个激光器的开启或关闭。本发明通过使用激光器阵列,可以大大降低半导体相关行业的光罩成本。同时由于图形由激光直接形成,准直度高,避免了传统光刻工艺中光源在光罩上形成衍射导致高级次衍射光无法被成像系统收集形成的OPE效应,可有效提高图象质量。 | ||
搜索关键词: | 可编程 及其 使用方法 用途 | ||
【主权项】:
1.一种可编程光罩,包括光罩体,其特征在于,所述光罩体上包括激光器阵列,该激光器阵列由两个以上激光器组成;由控制电路连接每一个激光器,控制电路控制每一个激光器的开启或关闭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810043747.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备