[发明专利]降低STI工艺中颗粒数的方法无效
| 申请号： | 200810043827.5 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101717924A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 孙玲玲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低STI工艺中颗粒数的方法，在原有工艺中的浅沟槽内侧生长衬垫氧化硅之后，淀积高密度等离子体化学气相氧化膜之前，增加一硅片背面刻蚀去除氮化硅和氧化硅的步骤。通过上述方法制备的STI隔离结构，能有效减小淀积HDP氧化膜的颗粒数。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 sti 工艺 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种降低STI工艺中颗粒数的方法，其特征在于：在原有的STI制备工艺中的浅沟槽内侧生长衬垫氧化硅之后，淀积高密度等离子体化学气相氧化膜之前，增加一硅片背面刻蚀去除氮化硅和氧化硅的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810043827.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锚链式防盗井沟盖板
- 下一篇：组合滚动上销
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
