[发明专利]三氟化氯刻蚀多晶硅成长炉的终点控制方法无效
| 申请号： | 200810043867.X | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101724912A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吕晨平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C23F1/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三氟化氯刻蚀多晶硅成长炉的终点控制方法，所述多晶硅成长炉内具有至少一温度检测装置，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，设定多晶硅成长炉内的反应温度和报警温度，开始向多晶硅成长炉内通入三氟化氯气体，并持续通入预刻蚀时间。第2步，监测多晶硅成长炉内的温度检测装置，当多晶硅成长炉内的温度由报警温度上升，并回落到报警温度时，再持续过刻蚀时间后停止通入三氟化氯气体。本发明可以及时发现三氟化氯和多晶硅的反应终点，防止反应气体三氟化氯浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 刻蚀 多晶 成长 终点 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种三氟化氯刻蚀多晶硅成长炉的终点控制方法，所述多晶硅成长炉内具有至少一温度检测装置，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，设定多晶硅成长炉内的反应温度和报警温度，开始向多晶硅成长炉内通入三氟化氯气体，并持续通入预刻蚀时间；第2步，监测多晶硅成长炉内的温度检测装置，当多晶硅成长炉内的温度由报警温度上升，并回落到报警温度时，再持续过刻蚀时间后停止通入三氟化氯气体。
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