[发明专利]光刻机对准方法有效
| 申请号： | 200810043868.4 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101727011A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨要华;单英敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻机对准方法，包括两阶段对准方法，第一阶段和现在的方法类同，为晶圆正常区域对准，得出晶圆对准模型1的6个参数：Tx1，Ty1，Ex1，Ey1，Rotation1和Ortho1；第二阶段，晶圆扭曲区域对准，得出晶圆对准模型2的6个参数：Tx2，Ty2，Ex2，Ey2，Rotation2和Ortho2。光刻机根据以上两组不同的参数分别来调整曝光形态。在此方法下，由于考虑了扭曲区域的特殊的晶圆形变状态，从而可对该处进行套准修正，得到满意的套准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻机对准方法，其特征在于：包括两阶段对准方法，第一阶段是晶圆正常区域对准，包括如下步骤：(1)在曝光单元上设置一些对准标记；(2)光刻机测量若干曝光单元的前层对准标记的坐标；(3)拟和出晶圆对准模型1；(4)曝光后得出套准不良的晶圆扭曲区域；第二阶段是晶圆扭曲区域对准，包括如下步骤：(A)在晶圆扭曲区域设置一些对准标记；(B)光刻机测量对准标记的坐标；(C)拟和出晶圆对准模型2；(D)曝光后进行套准修正。
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