[发明专利]MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法有效
| 申请号： | 200810043918.9 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101739470A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 周天舒;武洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法，采用以下步骤建立工艺偏差模型：第一步，选取TOXE、LINT、WINT、VTHO、LPEO、K3、PVTHO和VSAT作为工艺偏差模型参数；第二步，调整工艺偏差模型参数。本发明建立的MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型，采用全局模型，又可以覆盖多个尺寸器件，能够完整地反映MOS晶体管多个尺寸器件的工艺偏差指标。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 尺寸 器件 工艺 偏差 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法，其特征在于：采用以下步骤建立工艺偏差模型：第一步，选取工艺偏差模型参数；第二步，调整工艺偏差模型参数。
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