[发明专利]利用多晶硅场极板保护沟道区的LDMOS结构无效
| 申请号： | 200810043933.3 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101740614A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用多晶硅场极板保护沟道区的LDMOS结构，包括深阱、源极、漏极、栅极和沟道区，其中，源极、漏极、栅极和沟道区都在深阱中，源极和沟道区位于栅极的一侧，漏极位于栅极的另一侧，源极、深阱和漏极的掺杂类型相同，源极、深阱和沟道区的掺杂类型相反，在沟道区与深阱边缘上方设有多晶硅场极板，或在沟道区与漏极的PN结边缘上方设有多晶硅场极板。该LDMOS结构能减少LDMOS衬底与漏极之间的表面电场，以提高LDMOS的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 多晶 极板 保护 沟道 ldmos 结构 | ||
【主权项】：
一种利用多晶硅场极板保护沟道区的LDMOS结构，包括深阱、源极、漏极、栅极和沟道区，其中，源极、漏极、栅极和沟道区都在深阱中，源极和沟道区位于栅极的一侧，漏极位于栅极的另一侧，源极、深阱和漏极的掺杂类型相同，源极、深阱和沟道区的掺杂类型相反，其特征在于，在沟道区与深阱边缘上方设有多晶硅场极板，或在沟道区与漏极的PN结边缘上方设有多晶硅场极板。
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