[发明专利]光刻胶显影模拟的方法有效
| 申请号： | 200810043986.5 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101738874A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻工艺模拟的方法，包括光刻图形的光学成象模拟，光酸扩散模拟，光刻胶烘烤图形模拟和光刻胶显影模拟，其中光刻胶显影模拟中采用光刻曝光能量、最大显影速率归一化常数、显影阈值能量发散系数和MinDR代表最小显影速率归一化常数来表征随曝光能量变化的显影速率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 显影 模拟 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶显影模拟的方法，其特征在于：所述光刻胶显影模拟中采用光刻曝光能量、最大显影速率归一化常数、显影阈值能量、发散系数和最小显影速率归一化常数来表征随曝光能量变化的显影速率。
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