[发明专利]基于可变光酸扩散长度建立OPC模型的方法

摘要

本发明公开了一种基于可变光酸扩散长度建立OPC模型的方法，该方法包括如下步骤：第1步，给定一种光刻胶，测量该光刻胶对不同空间周期和/或关键尺寸的光罩图形进行光刻后的光酸扩散长度；或者，获知或测量一个光酸扩散长度初始值，以该初始值得到多个猜测值并通过试验筛选出符合精确度要求的猜测值；第2步，使用第1步测量或试验得到的各空间周期和/或关键尺寸的光罩图形所对应的光酸扩散长度建立该光刻胶的OPC模型。本发明所述方法使用不同条件下的光罩图形各自对应的光酸扩散长度建立OPC模型，相较传统的固定光酸扩散长度建立OPC模型，提高了在小尺寸图形上的精度，从而提高了整个半导体制造工艺对光刻图形的控制精度。

主权项

一种基于可变光酸扩散长度建立OPC模型的方法，其特征是：该方法包括如下步骤：第1步，给定一种光刻胶，测量该光刻胶对不同空间周期和/或关键尺寸的光罩图形进行光刻后的光酸扩散长度；或者，给定一种光刻胶，测量该光刻胶对一个光罩图形进行光刻后的光酸扩散长度；将该测量值作为初始值，设置扩展范围和扩展步进，在扩展范围内以初始值向高、低两方向按扩展步进得到多个猜测值；分别以初始值和多个猜测值建立临时OPC模型，采用这些临时OPC模型设计不同空间周期和/或关键尺寸的光罩图形并测量光刻后的光刻图形的实际关键尺寸，得到符合精确度要求的猜测值；或者，给定一种光刻胶，使用光刻胶厂家给定的光酸扩散长度作为初始值，设置扩展范围和扩展步进，在扩展范围内以初始值向高、低两方向按扩展步进得到多个猜测值；分别以初始值和多个猜测值建立临时OPC模型，采用这些临时OPC模型设计不同空间周期和/或关键尺寸的光罩图形并测量光刻后的光刻图形的实际关键尺寸，得到符合精确度要求的猜测值；第2步，使用第1步测量得到的各空间周期和/或关键尺寸的光罩图形所对应的光酸扩散长度、或初始值和符合精确度要求的猜测值作为各空间周期和/或关键尺寸的光罩图形所对应的光酸扩散长度建立该光刻胶的OPC模型。