[发明专利]一种肖特基二极管的制备方法无效
| 申请号： | 200810044006.3 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740380A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王海军;王飞;遇寒;张帅;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，包括以下步骤：1.在晶圆上定义肖特基二极管区域；2.在硅片上进行N掺杂阱注入；3.用溅射工艺在硅片上淀积金属；4.小于55千电子伏特的硅原子对硅片进行注入；5.进行高温快速退火，形成硅化物。从而本发明不仅能够降低接触电阻，而且可以提高肖特基二极管的击穿电压，防止产生漏电流。提高了器件的整体的性能，且增加产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在晶圆上定义肖特基二极管区域；第二步，在硅片上进行N掺杂阱注入；第三步，用溅射工艺在硅片上淀积金属；第四步，小于55千电子伏特的硅原子对硅片进行注入；第五步，进行高温快速退火，形成硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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