[发明专利]全自对准高压N型DMOS器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种制作全自对准高压N型DMOS器件(扩散金属氧化硅半导体场效应晶体管)的方法，在整个N型DMOS区域进行大能量的磷注入，并进行高温推进，形成N型漂移区；P型沟道是在多晶硅栅刻蚀后从源端进行大角度硼注入并补偿N型漂移区形成的；多晶硅栅覆盖全部N型漂移区；采用非均匀的栅氧化层，P型沟道区域采用常规的薄栅氧化层，但在漏极附近的N型漂移区上制作厚栅氧化层。本发明公开了一种全自对准高压N型DMOS器件。本发明能够实现N型DMOS器件尺寸的最小化，获得最小的导通电阻。

主权项

一种制作全自对准高压N型DMOS器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在P型衬底上对整个N型DMOS器件区域进行磷离子注入，并进行高温退火，最终在所述P型衬底上形成N型漂移区；步骤二、在所述N型漂移区上生长出第一栅氧化层，通过光刻在第一栅氧化层上定义出第二栅氧化层区域，并将该区域内的第一栅氧化层刻蚀掉，在定义出的第二栅氧化层区域内生长第二栅氧化层，第一栅氧化层的厚度大于第二栅氧化层的厚度，形成非均匀的栅氧化层；步骤三、淀积多晶硅栅层，并光刻及刻蚀形成N型DMOS器件栅极；步骤四、在所述N形漂移区内形成P型沟道区；步骤五、淀积一层氮化硅，对所述氮化硅层进行光刻及刻蚀，形成氮化硅侧墙；步骤六、利用多晶硅栅作为硬光刻板，进行N型DMOS器件的源漏硼离子自对准注入，形成源区和漏区。