[发明专利]一种高压LDMOS器件无效
| 申请号： | 200810044070.1 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101752416A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;丁宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压LDMOS器件，包括栅极(22)和漏极(23)，所述漏极(23)在低压N阱(132)内，所述低压N阱(132)在高压N阱(122)内，所述高压N阱(122)之上且在栅极(22)和漏极(23)之间的部分具有氧化硅(161)，所述氧化硅(161)之上具有多晶硅(171)，所述氧化硅(161)和多晶硅(171)的两侧壁具有氮化硅侧墙(18)。本发明一方面可以避免传统高压LDMOS器件的“鸟嘴”结构(141)引起的热载流子效应变差和器件的Snapback击穿。另一方面可以实现“场极板效应”，降低漏极(23)PN结附近的电场强度，从而能满足高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种高压LDMOS器件，包括栅极(22)和漏极(23)，所述漏极(23)在低压N阱(132)内，所述低压N阱(132)在高压N阱(122)内，其特征是：所述高压N阱(122)之上且在栅极(22)和漏极(23)之间的部分具有氧化硅(161)，所述氧化硅(161)之上具有多晶硅(171)，所述氧化硅(161)和多晶硅(171)的两侧壁具有氮化硅侧墙(18)。
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