[发明专利]判断哪个光刻工序造成以曝光面积为单位的低良率的方法有效
| 申请号： | 200810044106.6 | 申请日： | 2008-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101750900A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 董英毅;洪雪辉;邵红光 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种判断哪个光刻工序造成以曝光面积为单位的低良率的方法，包括：1)取试验硅片，选取任一个低良率的曝光面积为对象，进行其中一个具体光刻工序的试验，在进行光刻曝光之前，使原曝光面积向任意方向偏移整数个芯片的位置形成新的曝光面积，形成与原曝光面积的一个布局差；2)在相同条件下对所述新的曝光面积进行曝光显影，之后并进行良率测定；3)比较新曝光面积的良率和原曝光面积的良率损失的一致性，如两个良率的损失是一致的，则判定为由该特定光刻工序造成的低良率。 | ||
| 搜索关键词： | 判断 哪个 光刻 工序 造成 曝光 面积 单位 低良率 方法 | ||
【主权项】：
一种判断哪个光刻工序造成以曝光面积为单位的低良率的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取试验硅片，选取任一个低良率的曝光面积为对象，进行其中一个具体光刻工序的试验，在进行光刻曝光之前，使原曝光面积向任意方向偏移整数个芯片的位置形成新的曝光面积；2)在相同条件下对所述新的曝光面积进行曝光显影，之后进行良率测定；3)比较新的曝光面积的良率损失和原曝光面积的良率损失是否一致，如两个良率损失一致，则可以判定为是由该特定光刻工序造成的低良率问题；如果新曝光面积的良率损失与原曝光面积的良率损失的不一致则说明，良率损失与该层光刻工序无关联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810044106.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
