[发明专利]上电复位电路有效
| 申请号： | 200810044123.X | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101753119A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孟醒;李兆桂;陈涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种上电复位电路，包括电压分压部分和电压检测部分，所述电压分压部分包括在电源端和地之间串联的至少两个NMOS管，其中每个NMOS管的栅极与其各自的漏极相连接，第一个NMOS管的漏极接电源端，后一个NMOS管的漏极连接前一个NMOS管的源极，最后一个NMOS管的源极接地，所述电压检测部分包括一个NMOS管和一个PMOS管，所述PMOS管的源极接到电源端，栅极接地，漏极接NMOS管的漏极，该NMOS管的源极接地，栅极连接到电压分压部分中一个NMOS管的漏极，所述PMOS管的漏极连接一个反相器的输入端。本发明通过采用串联的NMOS管代替现有的分压电阻，其电路结构非常简单，并且降低了工作电流，同时减少了所占用芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种上电复位电路，其特征在于，包括电压分压部分和电压检测部分，所述电压分压部分包括在电源端和地之间串联的至少两个NMOS管，其中每个NMOS管的栅极与其各自的漏极相连接，第一个NMOS管的漏极接电源端，后一个NMOS管的漏极连接前一个NMOS管的源极，最后一个NMOS管的源极接地，所述电压检测部分包括又一个NMOS管和一个PMOS管，所述PMOS管的源极接到电源端，栅极接地，漏极接电压检测部分的NMOS管的漏极，该NMOS管的源极接地，栅极连接到电压分压部分中除第一个NMOS管的其它任意一个NMOS管的漏极，所述PMOS管的漏极连接一个反相器的输入端，所述反相器的输出端为所述上电复位电路的输出端。
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