[发明专利]半导体器件P2ID和SM的测试结构有效
| 申请号： | 200810044124.4 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752345A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘玉伟;张会锐;卜皎;曹刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件P2ID和SM的测试结构，包括依次排列的多个接触测试衬垫，其中测试衬垫(4)通过一个第一金属天线连接到测试衬垫(8)；测试衬垫(9)通过一个第二金属天线连接到测试衬垫(5)，所述第一金属天线和第二金属天线为蛇形，在所述测试衬垫(5)与所述测试衬垫(8)之间，第一金属天线和第二金属天线相互重叠。本发明通过将P2ID的测试结构和SM的测试结构集成在一起，且同一平面实现不同空间的重复利用，大大减小了两种测试结构占用芯片的面积，从而降低了器件测试的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 p2id sm 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件P2ID和SM的测试结构，其特征在于，包括依次排列的多个接触测试衬垫，测试衬垫(1)连接一个第一场效应晶体管的衬底端，测试衬垫(2)连接所述第一场效应晶体管的源极或漏极，测试衬垫(3)连接所述第一场效应晶体管的漏极或源极，测试衬垫(4)连接所述第一场效应晶体管的栅极，所述测试衬垫(4)通过一个第一金属天线连接到测试衬垫(8)；测试衬垫(12)连接一个第二场效应晶体管的衬底端，测试衬垫(11)连接所述第二场效应晶体管的漏极或源极，测试衬垫(10)连接所述第二场效应晶体管的源极或漏极，测试衬垫(9)连接所述第二场效应晶体管的栅极，所述测试衬垫(9)通过一个第二金属天线连接到测试衬垫(5)，所述第一金属天线和第二金属天线为蛇形，在所述测试衬垫(5)与所述测试衬垫(8)之间的芯片区域，第一金属天线和第二金属天线可相互重叠。
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