[发明专利]监测光刻质量的方法无效
申请号: | 200810044125.9 | 申请日: | 2008-12-17 |
公开(公告)号: | CN101750875A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 陈福成;吴鹏;阚欢 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张骥 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种监测光刻质量的方法,通过以下步骤进行监测:第一步,设置特征图形;在光刻工艺层中设置多个特征图形,所述光刻工艺层包括多种不同的衬底,每种衬底上分别放置有特征图形;两种不同衬底的交界处放置有特征图形;第二步,监测光刻质量;所述多个特征图形同时进行监测,通过比对各特征图形与各特征图形所在处的光刻图案之间的差异情况,监测光刻机台在特定光刻工艺层的曝光焦距和工艺窗口的情况。所述特征图形的样式包括所有线宽的测量结构式样及芯片的设计式样,所述线宽包括设计规则的线宽测量结构和亚设计规则的线宽测量结构。本发明能够简单、准确、有效地监测光刻机台在特定的工艺光刻工艺层的光刻工艺窗口。 | ||
搜索关键词: | 监测 光刻 质量 方法 | ||
【主权项】:
一种监测光刻质量的方法,其特征在于:通过以下步骤进行监测:第一步,设置特征图形;在光刻工艺层中设置多个特征图形,所述光刻工艺层包括多种不同的衬底,每种衬底上分别放置有特征图形;两种不同衬底的交界处放置有特征图形;第二步,监测光刻质量;通过比对各特征图形与各特征图形所在处的光刻图案之间的差异情况,监测光刻机台在特定光刻工艺层的曝光焦距和工艺窗口的情况。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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