[发明专利]防静电保护结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种防静电保护结构，在第一多晶硅栅的右侧设置有第二多晶硅栅，第一多晶硅栅与第二多晶硅栅之间隔有第三金属硅化物，第三金属硅化物的下方设置有第二N+扩散区，第二多晶硅栅的右侧下方设置有第三N+扩散区，第二N+扩散区与第三N+扩散区之间设置有第二沟道N型扩散区，第三N+扩散区上方设置有第四金属硅化物。本发明还公开了一种上述的防静电保护结构的制作方法，在制作第一多晶硅栅的时候同时制作第二多晶硅栅，在此之前采用N型埋层注入的形式，或者在此之后透过所述第二多晶硅栅通过注入方式形成第二沟道N型扩散区。本发明能够有效的防止静电对器件的伤害，同时节省了原先制作金属硅化物阻挡区的掩膜版，从而降低了生产成本。

主权项

一种防静电保护结构，包括P型衬底及其上面的P阱，所述P阱上设置有第一多晶硅栅，所述第一多晶硅栅的左侧下方设置有第一N+扩散区，所述第一N+扩散区左侧还设置有一个P+扩散区，所述P+扩散区的左侧设置有第一场氧化区，所述P+扩散区与所述第一N+扩散区之间相隔有第二场氧化区，所述P+扩散区上方设置有第一金属硅化物，所述第一N+扩散区上方设置有第二金属硅化物，所述第二金属硅化物位于所述第一多晶硅栅的左侧，所述第一金属硅化物、第二金属硅化物和第一多晶硅栅接地，其特征在于，所述第一多晶硅栅的右侧设置有第二多晶硅栅，所述第一多晶硅栅与所述第二多晶硅栅之间隔有第三金属硅化物，所述第三金属硅化物的下方设置有第二N+扩散区，所述第二N+扩散区的左侧延伸到所述第一多晶硅栅右侧下方，所述第二N+扩散区的右侧延伸到所述第二多晶硅栅左侧的下方，所述第二多晶硅栅的右侧下方设置有第三N+扩散区，所述第二N+扩散区与第三N+扩散区之间设置有第二沟道N型扩散区，所述第二沟道N型扩散区同时位于所述第二多晶硅栅的下方，所述第三N+扩散区上方设置有第四金属硅化物，所述第四金属硅化物位于所述第二多晶硅栅的右侧，所述第三N+扩散区的右侧设置有第三场氧化区，所述第二多晶硅栅与所述第四金属硅化物连接输出入焊垫。