[发明专利]单带差超晶格结构及其制备无效
| 申请号： | 200810046307.X | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101538742A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 黎兵;冯良桓;雷智;李愿杰;颜璞;王洪浩;黄杨;孟奕峰 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明“单带差超晶格结构及其制备”属于半导体薄膜的结构设计和制备之技术领域。半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。在化合物半导体薄膜与器件的制造中，超晶格薄膜是常常使用的一种半导体薄膜材料。超晶格薄膜可应用于热电材料、光电材料和纳米薄膜材料等方面。随着第三代太阳电池概念的提出和薄膜太阳电池研究的发展，基于多带隙半导体太阳电池模型，半导体超晶格薄膜在太阳电池领域的应用备受关注。本发明为了提高薄膜太阳电池的效率，开发新的太阳电池吸收层材料，同时基于降低成本，简化技术环节的目的，设计出了适宜的单带差超晶格薄膜结构，并提出了制备这种薄膜的技术方法。这种超晶格薄膜的设计和制备为开发新型薄膜材料提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 单带差超 晶格 结构 及其 制备 | ||
【主权项】：
1、单带差超晶格半导体薄膜结构的提出及其制备，其特征是利用磁控溅射法等超晶格制备技术，制备新型的单带差超晶格薄膜，包括：单带差超晶格的结构；单带差超晶格的材料；单带差超晶格的制备环节。
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