[发明专利]一种提高SiC-C阻氢(氚)涂层对基体金属材料粘着性能的方法无效
| 申请号： | 200810046347.4 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101418428A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄宁康;杜纪富;任丁;张瑞谦;杨淑琴 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54 |
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| 地址： | 610064四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出的提高SiC-C阻氢涂层对基体金属材料粘着性能的方法属于核技术及应用领域。在基体金属材料上制备SiC-C阻氢(氚)涂层时，采用中间过渡层以提高涂层对基体的粘着性能，而且还能提高SiC-C涂层的阻氢(氚)效果。其方法是在抛光清洗后的金属材料基体上进行低能粒子的轰击，进一步清除表面污染并对表面活化。然后用物理气相沉积技术沉积过渡层，在此基础上再制备SiC-C涂层。本发明的方法可以在SiC-C涂层制备的设备中进行，中间过渡层的制备与SiC-C涂层的制备可以直接配合。SiC-C阻氢(氚)涂层经这一中间过渡层的沉积后，不仅有效提高涂层与基体材料的粘着性能，还有利于涂层本身阻氢性能的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 sic 阻氢 涂层 基体 金属材料 粘着 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、采用能量粒子轰击与物理气相沉积工艺相结合的方法制备中间过渡层，这种沉积的中间过渡层不仅提高SiC-C涂层对基体的粘着性能，而且有利于SiC-C涂层的阻氢(氚)效果的提高。其特征包括以下几点：1). 基体材料表面经研磨抛光后，进行常规清洗烘干以消除表面脏物，放入真空室，真空室本底真空度达6×10-4Pa以上。2). 对基体表面采用物理溅射方法进行清洗，消除表面污染如自然氧化物膜，并进行活化。3). 采用物理气相沉积方法沉积中间过渡层，当达到一定厚度后，再用一定能量的离子进行轰击，使该层材料与基体进行混合。4). 然后沉积一定厚度的SiC-C，用Ar+离子轰击，使SiC-C层与过渡层发生混合。5). 继续进行SiC-C涂层的制备，以达到所要求的厚度。
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