[发明专利]分布反馈注入放大半导体激光器无效
| 申请号： | 200810046664.6 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101237121A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李润兵;陈立;熊宗元;王谨;詹明生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/12;H01S5/026;H01S5/06 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所 | 代理人： | 王敏锋 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分布反馈注入放大半导体激光器，由主激光器、第一光隔离器、锥形激光放大器、第二光隔离器、微弱光探测激光功率稳定系统和激光整形系统六个部分组成，主激光器采用分布反馈半导体激光管，准直后的激光束经过第一光隔离器后注入锥形激光放大芯片，放大激光通过第二光隔离器后采用光束分离技术，光电探测器探测放大激光的功率波动，其误差信号通过反馈电路送入锥形激光放大器的电流控制接口，通过负反馈机制提高放大后输出激光的功率稳定性，光通过激光整形系统后输出准直的高斯光束。本发明结构紧凑，方便调节，激光线宽窄，功率高，稳定性好，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 注入 放大 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种分布反馈注入放大半导体激光器，它包括主激光器(A)、第一光隔离器(B)、锥形激光放大器(C)、第二光隔离器(D)、微弱光探测激光功率稳定系统(E)和激光整形系统(F)，其特征是主激光器(A)采用分布反馈半导体激光器，主激光器调整座(4)和主激光器准直透镜调整座(8)与主激光器底座(4)相连，分布反馈半导体激光管(7)与热电致冷封装模块(6)相连后固定在主激光器调整座(4)上，主激光器准直透镜(9)和主激光器透镜调整座(8)相连；锥形放大激光器C采用锥形激光放大芯片(21)，锥形放大激光器底座(14)与热电致冷块(16)相连，锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)、锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)和锥形激光放大器底座(14)与热电致冷块(16)相连，锥形激光放大芯片(21)和热敏电阻(17)与锥形激光放大器底座(14)相连，锥形激光放大器输入端聚焦透镜(20)与锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)相连，锥形放大激光器输出端准直透镜(22)与锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)相连，锥形激光放大芯片(21)的电极通过陶瓷电极与(40)与电流温度控制端口(3)相连；微弱光探测激光功率稳定系统(E)采用分束镜(38)和光电探测器(39)；主激光器(A)的输出激光经过第一光隔离器(B)后注入锥形激光放大器(C)，放大激光经过光第二隔离器(D)后再经过微弱光探测激光功率稳定系统(E)反馈到锥形激光放大器(C)的电流温度控制电路(1)，光经过激光整形系统(F)后输出准直高斯光束。
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