[发明专利]一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法

摘要

一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法，采用共沉淀法，其制备方法包括：A.制备Fe³⁺、Zn²⁺混和溶液和NaOH溶液；B.将上述溶液混合，形成沉淀物，并对沉淀物过滤、分离和洗涤；C.将沉淀物烘干、预烧结、研磨、压片和烧结后，得到Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料。本发明提供了一种全新的Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法，该制备出的Fe掺杂ZnO半导体材料，具有室温铁磁性。

主权项

1.一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A.将分析纯的Zn(NO3)2·6H2O和Fe(NO3)3·9H2O粉末充分混和后，加入去离子水使其完全溶解，形成Fe3+和Zn2+混和溶液，其中Fe3+的掺杂浓度为0＜Fe3+≤2％；将NO3 -离子摩尔数与OH-离子摩尔数为1∶1的分析纯NaOH粉末，加入到去离子水，配制成NaOH溶液；B.将配制好的NaOH溶液倒入Fe3+和Zn2+的混和溶液中，不断搅拌，同时滴加氨水，控制溶液的PH值为8≤PH值≤9，使Fe3+和Zn2+完全沉淀，形成Fe(OH)3和Zn(OH)2混合沉淀；将沉淀物过滤，分离，并用去离子水反复洗涤，去掉沉淀物表面可能的残留离子；C.将洗涤后的沉淀物置于100℃-150℃烘箱中烘干，并将其研磨；接着在惰性气氛中进行预烧结，预烧温度为300℃-500℃，预烧结时间为6-10小时；将得到的粉末再经过研磨，压片，在惰性气氛下烧结，烧结温度为500℃-700℃，烧结时间为12-24小时，即得到Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料。