[发明专利]高压晶闸管及其生产工艺有效
| 申请号： | 200810047773.X | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101582380A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 杨景仁 | 申请（专利权）人： | 杨景仁 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/74 |
| 代理公司： | 襄樊中天信诚知识产权事务所 | 代理人： | 何静月 |
| 地址： | 441003湖北省襄樊市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压晶闸管及其生产工艺，包括在N型硅片上扩散P型杂质，形成结深浅浓度低的相同的P1区和P2区，表面浓度10～15mv，结深90～100μm；在P1区表面涂P型杂质源再扩散，形成结深较浅、浓度较低的P2区和结深深、浓度高的P1区，P2表面浓度8～10mv，结深110～130μm；P1表面浓度0.1～3mv，结深120～145μm；在P2区扩散N型杂质形成N2层，N2表面浓度0.08～0.11mv，结深15～22μm；在P1和N2表面制造欧姆接触层形成电极。本发明是通过制造不对称的P1区和P2区，达到协调正反向阻断电压对称性和降低通态电压的效果，元件通态电压下降10～15％，效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶闸管 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
1、一种高压晶闸管，其特征在于：高压晶闸管为以下工序所制成的产品，工序包括：①在N型硅片上，一次或两次扩散P型杂质，形成结深浅，浓度低的相同的P1区和P2区，P1区和P2区表面浓度10～15mv，结深90～100μm；②在P1区表面涂P型杂质源再扩散，形成结深较浅、浓度较低的P2区和结深深、浓度高的P1区，P2表面浓度8～10mv，结深110～130μm；P1表面浓度0.1～3mv，结深120～145μm；③在P2区扩散N型杂质，形成N2层，N2表面浓度0.08～0.11mv，结深15～22μm；④在P1和N2表面制造欧姆接触层形成电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨景仁，未经杨景仁许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810047773.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
