[发明专利]氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810047953.8 | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101315964A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘榕;张建宝;郑如定;徐韬 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430223湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法，其特征在于：在欧姆接触层的透明电极上有孔，孔底部为P型氮化镓，P电极金属经孔直接与P型氮化镓接触。本发明有部分P电极金属通过上述孔与P型氮化镓直接附着，而另一部分P电极金属与透明电极附着，这样极大提高P电极的附着力，防止电极翘起、改善Vf升高和P电极电流分布，提高产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：在欧姆接触层的透明电极上有孔，孔底部为P型氮化镓，P电极金属经孔直接与P型氮化镓接触。
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