[发明专利]溴化汞单晶的生长方法有效
| 申请号： | 200810048309.2 | 申请日： | 2008-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101328608A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;秦金贵;张刚;蒋世超;朱天翔;仲星彦;吴以成;陈创天 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/06;G02B1/02;G02F1/355 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了溴化汞单晶的生长方法，将溴化汞溶于碳原子数为1－4的醇中，采用溶剂挥发法或降温法生长得到溴化汞单晶。本发明不仅具有方法简单，操作方便的优点，而且可以制得透明和规整的溴化汞单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 溴化汞单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.溴化汞单晶的生长方法，其特征在于：溴化汞溶于碳原子数为1-4的醇中，采用溶剂挥发法生长得到溴化汞单晶。
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