[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810048681.3 申请日: 2008-08-01
公开(公告)号: CN101335200A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 刘昌;付秋明;刘博 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/205
代理公司: 武汉天力专利事务所 代理人: 冯卫平;程祥
地址: 43007*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种AlN薄膜的制备方法,其独到之处在于:1.1在外延薄膜生长室中,以Al2O3、SiC或Si为衬底,于800~850℃温度下对衬底进行氮化10~30分钟;1.2.在500~765℃下生长10~20nm的AlN缓冲层;1.3.在大于780℃的环境下生长AlN外延层;1.4.在生长AlN外延层的过程中,每生长100~500nm的AlN外延层,就在500~765℃下生长一层10~20nm的AlN插入层,并采用生长中断方法,中断AlN生长0.5~3分钟,然后继续在大于780℃的环境下生长AlN外延层,如此循环往复直至得到需要的层数。本发明的优点在于:可以获得具有镜面光滑无裂纹表面的AlN膜,并达到高分辨X射线衍射(002)面摇摆曲线的半高宽≤255arcsec,(105)面摇摆曲线的半高宽≤290arcsec,刃位错密度低于5×108cm-2,4μm×4μm范围内表面平整度≤0.29nm的性能参数。
搜索关键词: 一种 aln 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种AlN薄膜的制备方法,其特征在于:1.1在外延薄膜生长室中,以Al2O3、SiC或Si为衬底,于800~850℃温度下对衬底进行氮化10~30分钟;1.2.在500~765℃下生长10~20nm的AlN缓冲层;1.3.在大于780℃的环境下生长AlN外延层;1.4.在生长AlN外延层的过程中,每生长100~500nm的AlN外延层,就在500~765℃下生长一层10~20nm的AlN插入层,并采用生长中断方法,中断AlN生长0.5~3分钟,然后继续在大于780℃的环境下生长AlN外延层,如此循环往复直至得到需要的层数。
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