[发明专利]一种低碳镁碳砖及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810048934.7 申请日: 2008-08-21
公开(公告)号: CN101343188A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 汪厚植;顾华志;何见林;胡开艳 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 武汉开元专利代理有限责任公司 代理人: 樊戎
地址: 430081*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种低碳镁碳砖及其制备方法。其技术方案是:先将64~76wt%的电熔镁砂颗粒、18~30wt%的电熔镁砂细粉、1~6wt%的鳞片石墨和1~5wt%的抗氧化剂混合,外加2~5wt%的酚醛树脂进行混练,然后进行成型和干燥。其中,电熔镁砂颗粒级配是:3~2mm为26~30wt%、2~1mm为21~26wt%、1~0.088mm为17~20wt%。本发明增大了电熔镁砂颗粒的含量、减少了其细粉的含量,使得电熔镁砂总的比表面积降低,基质中石墨相对积聚,具有与高碳镁碳砖相似的结构特征。故所制备的低碳镁碳砖具有体积密度高、抗侵蚀性好、抗热震性能优良、工艺简便、工业化程度高的特点。
搜索关键词: 一种 低碳镁碳砖 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种低碳镁碳砖的制备方法,其特征在于先将64~76wt%的电熔镁砂颗粒、18~30wt%的电熔镁砂细粉、1~6wt%的鳞片石墨和1~5wt%的抗氧化剂混合,外加2~5wt%的酚醛树脂进行混练,然后进行成型和干燥;其中,电熔镁砂颗粒的级配是:3~2mm为26~30wt%、2~1mm为21~26wt%、1~0.088mm为17~20wt%。
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