[发明专利]基于镁橄榄石-C的MgO-SiC-C质耐火浇注料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810048985.X 申请日: 2008-08-28
公开(公告)号: CN101337822A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 祝洪喜;邓承继 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 武汉开元专利代理有限责任公司 代理人: 樊戎
地址: 430081*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种基于镁橄榄石-C的MgO-SiC-C质耐火浇注料及其制备方法。所采用的技术方案是:将镁橄榄石和C粉按摩尔比为1~4∶3~6混合,外加上述混合料1~10wt%的结合剂,经搅拌、成型和干燥后,在还原气氛下经1450~1700℃×2~8h合成MgO-SiC-C质材料。再将10~25wt%的10~5mm颗粒、15~25wt%的5~3mm颗粒、15~25wt%的3~1mm颗粒、10~20wt%的1~0mm颗粒和25~35wt%的0.1~0mm细粉混合,外加2~8wt%的结合剂,搅拌均匀,制成MgO-SiC-C质耐火浇注料。本发明生产成本低、工艺简单;所制备的耐火浇注料性能优良,应用范围广。
搜索关键词: 基于 橄榄石 mgo sic 耐火 浇注 料及 制备 方法
【主权项】:
1、一种基于镁橄榄石-C的MgO-SiC-C质耐火浇注料的制备方法,按摩尔比先将1~4mol的镁橄榄石矿粉和3~6mol的C粉混合,外加上述混合料4~10wt%的结合剂,搅拌或混碾10~30分钟,经压制成型后干燥,然后在还原气氛下烧结,烧结温度为1450~1700℃,保温时间为2~8小时,得合成的MgO-SiC-C质材料,其特征在于先将合成的MgO-SiC-C质材料加工成10~5mm、5~3mm、3~1mm、1~0mm的颗粒和0.1~0mm的细粉,再将10~25wt%的10~5mm颗粒、15~25wt%的5~3mm颗粒、15~25wt%的3~1mm颗粒、10~20wt%的1~0mm颗粒和25~35wt%的0.1~0mm细粉混合,外加2~8wt%的结合剂,搅拌均匀,制成MgO-SiC-C质耐火浇注料。
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