[发明专利]一种高强度高导电整体弥散铜点焊电极制备工艺方法无效

专利信息
申请号: 200810050061.3 申请日: 2008-06-19
公开(公告)号: CN101293317A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 田保红;刘平;刘勇;宋克兴;贾淑果;任凤章;李红霞;张毅;陈小红 申请(专利权)人: 河南科技大学
主分类号: B23P15/00 分类号: B23P15/00;B22F1/00;B22F3/10;C22C9/01;B23K11/30
代理公司: 郑州中民专利代理有限公司 代理人: 郭中民
地址: 471003*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提出的高强度高导电整体弥散铜点焊电极制备工艺方法是采用低固溶度Cu-Al合金或低固溶度稀土铜合金,其铝含量不大于1.00wt%,稀土添加量不高于0.50wt%,余量为Cu;其制备工艺包括:氧化剂和填充剂的混合;包埋;内氧化;冷(热)挤压(轧制)变形;其中氧化剂为工业级Cu2O,填充剂为工业级Al2O3;将氧化剂和填充剂混合并将Cu-Al合金或稀土铜合金棒或板包埋,氧化剂与填充剂的混合比例为(40~60)%∶(60~40)%;其烧结和内氧化同步进行,烧结温度为900~1000℃,内氧化时间为4~20小时。本发明工艺方法制备的弥散铜点焊电极不仅具有高强度、高导电性、高抗软化温度,而且具有内氧化时间短、成本低、效率高的优点。
搜索关键词: 一种 强度 导电 整体 弥散 点焊 电极 制备 工艺 方法
【主权项】:
1、一种高强度高导电整体弥散铜点焊电极制备工艺方法,其特征是:采用低固溶度Cu-Al合金或低固溶度稀土铜合金,其铝含量不大于1.00wt%,稀土添加量不高于0.50wt%,余量为Cu;其制备工艺包括:氧化剂和填充剂的混合;包埋;内氧化;冷(热)挤压(轧制)变形;其中氧化剂为工业级Cu2O,填充剂为工业级Al2O3;将氧化剂和填充剂混合并将Cu-Al合金或稀土铜合金棒或板包埋,氧化剂与填充剂的混合比例为(40~60)%∶(60~40)%;其烧结和内氧化同步进行,烧结温度为900~1000℃,内氧化时间为4~20小时。
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