[发明专利]高介电性能聚芳醚酮/金属酞菁复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810050245.X | 申请日： | 2008-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101215414A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张云鹤;姜振华;刘晓;王贵宾 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C08L71/10 | 分类号： | C08L71/10;C08K5/3467;H01B3/42 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远;刘玉凡 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的高介电性能聚芳醚酮/金属酞菁复合材料及其制备方法属于高分子介电材料的技术领域。材料的组成成分有磺化聚芳醚酮，和铜酞菁齐聚物，二者的重量份数比为95～40∶5～60。制备方法是，以磺化聚芳醚酮为基体原料，铜酞菁齐聚物为填充材料，将磺化聚芳醚酮和铜酞菁齐聚物分别溶于二甲亚砜或N－甲基吡咯烷酮，再将它们混合继续搅拌8～12小时；然后将混合溶液浇铸成模，在60～80℃烘干，再在110～130℃真空条件下烘16～36小时。本发明的材料具有优异的介电性质；能够解决现有技术的介质损耗高及由于填充量过高加工性能下降等问题；而且磺化聚芳醚酮和铜酞菁齐聚物之间有更好的相容性。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电 性能 聚芳醚酮 金属 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高介电性能聚芳醚酮/金属酞菁复合材料，组成成分有聚芳醚酮，其特征在于，组成成分还有铜酞菁齐聚物，聚芳醚酮和铜酞菁齐聚物的重量份数比为95～40∶5～60。
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