[发明专利]制备p型氧化锌半导体体材料的方法无效
| 申请号： | 200810050450.6 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101311364A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 秦杰明;姚斌;张吉英;申德振;赵东旭;张振中;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B28/02;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备p型氧化锌半导体体材料的方法，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下热压烧结制得p型ZnO多晶体体材料。该方法制备的p型ZnO半导体体材料，其载流子浓度为1.0×1013～21cm－3，电阻率为1×100.01－3Ω.cm，迁移率为0.01～13cm2.V－1.S－1。本发明方法所获得的p型ZnO多晶体的半导体体材料结晶质量好；制备重复性好；适于工业化生产，为光电器件制造技术领域提供了特别适用的优质新材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化锌 半导体 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备p型氧化锌半导体体材料的方法，其特征在于，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下热压烧结制得p型ZnO多晶体体材料。
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