[发明专利]一种微型辐射探测芯片的制作方法

摘要

本发明涉及一种微型辐射探测芯片的制作方法，包括下列步骤：制备衬底；在衬底表面生长辐射吸收材料；将热敏电阻粘接于衬底表面；将加热丝材料沉积于衬底表面；在带有加热丝材料薄膜的衬底表面生长加热丝保护膜。采用本发明方法制作的辐射探测芯片结构简单，尺寸及质量都得到了很好的控制；由于衬底选用的是高热导率、高绝缘性及低的热容材料，并且采用MEMS方法把加热丝及辐射吸收材料牢固地集成在衬底上，不用胶粘等工艺，热传递能更迅速。采用本发明方法制作的辐射探测芯片可以作为航天器上新型内置定标基准源，也可以应用于其它热辐射探测领域。

主权项

1、一种微型辐射探测芯片的制作方法，其特征在于包括下列步骤：(一)、选用导热性好、绝缘性好、热容小的材料作为衬底，热导率≥5W/K·cm，电阻率为1012-1017Ω·cm；衬底厚度0.05-5mm，一部分表面粗糙度为1nm～10μm，另一部分表面粗糙度为0.2nm～5μm；(二)、选用高吸收率、低反射率的材料作为辐射吸收材料；在衬底的粗糙度为1nm～10μm的表面生长辐射吸收材料，辐射吸收材料厚度为10nm-2mm；然后，将辐射吸收材料膜层用掩蔽材料薄膜保护；(三)、将热敏电阻粘接于衬底的粗糙度为1nm～10μm的表面；(四)、通过磁控溅射方法将加热丝材料沉积于衬底的粗糙度为0.2nm～5μm的表面，沉积厚度为50nm-20μm；加热丝材料薄膜生长完毕，用光刻工艺在加热丝材料薄膜上表面形成与加热丝相同的掩蔽图形，然后蚀刻形成加热丝图形，去除光刻胶；(五)、在带有加热丝材料薄膜的衬底表面生长加热丝保护膜；加热丝保护膜材料选用导热性好、绝缘性好、热容小、易成膜、可图形化、抗老化性好的材料；然后在加热丝保护膜上表面光刻，使加热丝上方区域的光刻胶保留，作为掩蔽层；最后用蚀刻去除其余部分的保护膜，去除光刻胶；(六)、去除辐射吸收材料膜层上表面的掩蔽材料薄膜。