[发明专利]可提高分辨率的CCD像元的几何形状无效
| 申请号： | 200810050583.3 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101257034A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 翟林培;丁亚林;翟岩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 刘树清 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 可提高分辨率的CCD像元的几何形状，属于CCD器件制造及应用技术领域，涉及的像元的几何形状。本发明要解决的技术问题是：提供可提高分辨率的CCD像元的几何形状。解决的技术方案是：用相交的两条直线或曲线，且交点在像元内，将传统的CCD像元划分出四个面积相等的子区，本发明所指的CCD像元的几何形状，是去掉其中任意一个子区后形成的像元的几何形状。具有这种几何形状的像元，可提高CCD器件的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 分辨率 ccd 几何 形状 | ||
【主权项】：
1、可提高分辨率的CCD像元的几何形状，其特征在于用相交的两条直线或曲线，且交点在像元内，将传统的CCD像元划分出四个面积相等的子区，本发明所指的CCD像元的几何形状，是去掉其中任意一个子区后形成的像元的几何形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
