[发明专利]鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法无效
| 申请号： | 200810050651.6 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101311339A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李红东;邹广田;王启亮;吕宪义 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石材料技术领域。通过以甲烷、氢气、氮气为反应气体获得的CVD金刚石单晶的生长表面及沿生长方向侧面不同位置的光致荧光光谱的测试，光谱强度规律变化的金刚石单晶是掺氮高速化学气相沉积金刚石单晶。进而根据和氮含量相关的光致荧光峰的强度的规律变化，区分CVD金刚石单晶和其他金刚石单晶。本发明的方法简单、适用、快速；不对所生长的CVD单晶金刚石造成破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 鉴别 高速 生长 化学 沉积 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
1、一种鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法，其特征是，通过检测金刚石单晶的光致荧光光谱进行的；测试点的选择是在所生长的金刚石单晶的表面或/和侧面选择3～100个点，表面或/和侧面各个点的光致荧光光谱的强度有规律变化的金刚石单晶是掺氮高速化学气相沉积金刚石单晶。
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