[发明专利]三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管，包括衬底(1)，金属电极(2)，有机半导体(6)层，源/漏电极(7)；还包括：低介电常数聚合物层(3)，高介电常数氧化物层(4)，低介电常数聚合物层(5)，所述的(3)、(4)和(5)层构成三层复合膜绝缘栅。该低介电常数聚合物层具有光照交联性质，便于器件的集成加工。该结构的三层复合膜绝缘栅避免高介电常数的氧化物绝缘膜与金属电极(2)直接接触，阻断了金属电极(2)向高介电常数氧化物层的电子注入，降低了在负电压区有机薄膜晶体管的回滞；同时降低了高介电常数氧化物层的分压，降低了在正电压区晶体管的回滞。从而降低了有机薄膜晶体管的回滞效应，显著改善了有机薄膜晶体管的工作稳定性。

主权项

1、三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管，其包括：衬底(1)，金属电极(2)，有机半导体(6)层，源/漏电极(7)；其特征在于还包括：低介电常数聚合物层(3)，高介电常数氧化物层(4)，低介电常数聚合物层(5)，所述的(3)、(4)和(5)层构成三层复合膜绝缘栅。