[发明专利]1.3微米波段InAs量子点材料的制备方法

摘要

1.3微米波段InAs量子点材料的制备方法是一种采用MOCVD技术制备发光波长在1.3微米波段的InAs/GaAs量子点材料的方法，属于半导体材料制造技术领域。已知技术采用MBE外延技术离实用化、商业化尚存有距离。本发明采用MOCVD外延技术生长各外延层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470～490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0～3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20～60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490～510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5～1.5ML。制备出能够制作具有室温连续工作模式器件的1.3微米波段InAs量子点材料，该方法易于控制，工艺稳定。

主权项

1、一种1. 3微米波段InAs量子点材料的制备方法，其特征在于，采用MOCVD外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1-xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470～490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0～3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20～60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490～510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5～1.5ML。