[发明专利]MgxZn1－xO薄膜的双靶射频磁控共溅射制备方法无效
| 申请号： | 200810050782.4 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101285173A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张希艳;刘全生;王晓春;柏朝晖;米晓云;卢利平;王能利 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/36 | 分类号： | C23C14/36;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | MgxZn1－xO薄膜的双靶射频磁控共溅射制备方法属于光电功能材料制造技术领域。已知技术需要根据所需制备的MgxZn1－xO薄膜的不同，分别制作对应x值的MgxZn1－xO陶瓷靶材，制作工作量大，靶材不一定完全消耗，产生浪费，所制备的MgxZn1－xO薄膜化学计量比偏离MgxZn1－xO陶瓷靶材的化学计量比。本发明采用双靶共溅射制备方式，即在两个溅射靶上分别固定ZnO陶瓷靶材和MgO陶瓷靶材，分别提供溅射功率，同时分别溅射，在衬底上生长MgxZn1－xO薄膜。本发明可应用于制备具有紫外探测、可见及紫外光发射作用的半导体光电功能材料MgxZn1－xO薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | mg sub zn 薄膜 射频 磁控共 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MgxZn1-xO薄膜的双靶射频磁控共溅射制备方法，在射频磁控溅射仪的真空室中，通过提供溅射功率，使溅射气体溅射固定在溅射靶上的靶材，在衬底上生长MgxZn1-xO薄膜，其特征在于，采用双靶共溅射制备方式，即在两个溅射靶上分别固定ZnO陶瓷靶材和MgO陶瓷靶材，分别提供溅射功率，同时分别溅射，在衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。
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