[发明专利]pn结MgxZn1－xO薄膜日盲区紫外探测器件无效
| 申请号： | 200810050783.9 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101286535A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘全生;张希艳;柏朝晖;王晓春;卢利平;米晓云;王能利 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | pn结MgxZn1－xO薄膜日盲区紫外探测器件属于光电探测技术领域。现有技术采用MgxZn1－xO薄膜作为光电转换器件，其光谱响应度有待提高；而虽然pn结MgxZn1－xO薄膜因pn结的雪崩作用而具有很高的转换效率，但只是被用做电光转换器件。本发明采用pn结MgxZn1－xO薄膜，底部电极介于衬底与pn结MgxZn1－xO薄膜之间，偏置电压电极、信号电压电极位于pn结MgxZn1－xO薄膜上表面且相离，偏置电压电极与底部电极为pn结MgxZn1－xO薄膜提供偏置电压，信号电压电极与底部电极将pn结MgxZn1－xO薄膜产生的信号电压输出。该方案应用于200～300nm紫外导弹尾焰探测、紫外告警、化学火焰探测等领域。 | ||
| 搜索关键词： | pn mg sub zn 薄膜 盲区 紫外 探测 器件 | ||
【主权项】：
1、一种pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件，由衬底、生长于衬底上的MgxZn1-xO薄膜和为MgxZn1-xO薄膜提供偏置电压的电极组成，其特征在手，MgxZn1-xO薄膜为pn结MgxZn1-xO薄膜(5)，底部电极(6)介于衬底(7)与pn结MgxZn1-xO薄膜(5)之间，偏置电压电极(8)、信号电压电极(9)位于pn结MgxZn1-xO薄膜(5)上表面且相离，偏置电压电极(8)与底部电极(6)为pn结MgxZn1-xO薄膜(5)提供偏置电压(V)，信号电压电极(9)与底部电极(6)将pn结MgxZn1-xO薄膜(5)产生的信号电流(A)输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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