[发明专利]使用多种还原剂热蒸发制备氧化锌微/纳米结构的方法无效

专利信息
申请号: 200810050879.5 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101302033A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 李红东;李冬妹;桑丹丹;吕航 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C01G9/02 分类号: C01G9/02;B82B3/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 代理人: 王恩远
地址: 130012吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明的使用多种还原剂热蒸发制备微/纳米结构氧化锌的方法属于半导体材料及其制备的技术领域。蒸发源包括ZnO粉和还原剂,还原剂可以是碳族元素材料或金属或有机化合物;在反应温度550~890℃、生长温度160~870℃、气压105~103Pa下制得产品。所述的蒸发源还可以掺杂其他元素或化合物。本发明通过改变具体工艺条件,获得具有多种形貌、尺寸、结构的ZnO产物。使用本发明的还原剂,相对以石墨为还原剂时反应温度可降低100~500℃。本发明对于富氧环境或/和高温下易氧化或易变质的衬底上,可在较低的温度下生长ZnO微米/纳米结构。
搜索关键词: 使用 多种 还原剂 蒸发 制备 氧化锌 纳米 结构 方法
【主权项】:
1、一种使用多种还原剂热蒸发制备氧化锌微/纳米结构的方法,其特征是,第一步配置蒸发源:蒸发源包括ZnO粉和还原剂,ZnO粉与还原剂用量按质量的配比为1∶0.2~5;蒸发源放入石英管或瓷舟内,衬底放置在石英管或瓷舟内蒸发源的下游;还原剂是碳族元素材料或金属或有机化合物;第二步制备产物:将石英管或瓷舟放置于管式炉加热区内,使蒸发源位于反应温度区,衬底位于生长温度区;在反应温度550~890℃、生长温度160~870℃下蒸发反应1~120分钟。
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