[发明专利]发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器无效
| 申请号： | 200810052484.9 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101246942A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 孟志国;吴春亚;熊绍珍;李娟 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器，方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LED的N层；位于LED的N层上的LED发光层；位于LED的发光层上的LED的P层；形成在P层上的LED顶部电极。半导体激光器结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LD的N层；位于LD的N层之上的LD的有源层；位于LD的有源层之上的LD的P层；形成在LD的P层之上的LD的顶部电极。本发明可实现LED和LD器件的底发光，可提高LED和LD的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光二极管和激光器的制作方法，其特征在于，是将发光二极管和激光器是直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。
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