[发明专利]硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法

摘要

本发明公开了硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法。所述窗口材料为磷掺杂硅基薄膜N，包括磷掺杂N型微晶硅氧薄膜，或者磷掺杂的N型纳米硅氧。该窗口材料的制备是将待处理样品放入沉积系统中，在待处理样品的本征硅基薄膜I上或透明导电薄膜T1上沉积作为硅基薄膜太阳电池用窗口材料的磷掺杂硅基薄膜N。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，提出了新的硅基薄膜太阳电池用窗口层材料，可在不透明或透明衬底上制备P/I/N型的薄膜太阳电池，也可以在透明衬底上制备N/I/P型的薄膜太阳电池，工艺灵活性提升，更容易获得比较好的电池效率。

主权项

1、硅基薄膜太阳电池用窗口材料，其特征在于所述的硅基薄膜太阳电池用窗口材料为磷掺杂硅基薄膜N，是在待处理样品的本征硅基薄膜I上或透明导电薄膜T1上沉积磷掺杂硅基薄膜N而制成，该磷掺杂硅基薄膜N为微晶硅氧薄膜，或者磷掺杂的N型纳米硅氧；反应沉积参数为：反应气体压强0.1托以上，辉光功率密度为10-1000毫瓦/平方厘米，待处理样品表面温度为80-350℃，氢稀释硅烷浓度SC＜10％，辉光激励频率为13.56MHz-100MHz，含磷气体与硅烷之比PS≤2％。