[发明专利]基片上微粒高度测量方法无效
申请号: | 200810052669.X | 申请日: | 2008-04-09 |
公开(公告)号: | CN101251372A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 李恩邦 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人: | 赵敬 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种基片上微粒高度测量方法。该方法采用包括微位移平台、带有CCD摄像机的光学显微镜、计算机和平行光光源所构成装置。测量基片上微粒高度过程包括:将一束平行光以与基片上表面成第一固定角度θ1照射基片表面微粒,获第一幅数字图像;移动微位移平台一已知距离,获第二幅数字图像;将一束平行光以与基片上表面成第二固定角度θ2照射基片表面微粒,获第三幅数字图像。由第一幅数字图像和第二幅数字图像测得它们之间的位移D,再由微位移平台移动的已知距离计算光学显微成像系统的放大率β;由第二幅数字图像和第三幅数字图像测得它们之间的位移L,由L/[β(ctg θ2-ctg θ1)]计算出微粒距基片表面的高度值。本发明优点在于过程简单,易于实现。 | ||
搜索关键词: | 基片上 微粒 高度 测量方法 | ||
【主权项】:
1. 一种基片上微粒高度测量方法,该方法采用的装置:包括微位移平台(103),微位移平台上面放置固定微粒的基片(102),基片上方设置带有CCD摄像机(106)的光学显微镜(105),计算机(107)控制微位移平台的移动及与CCD摄像机连接,用于照射基片上微粒的平行光光源(104)所构成,对基片上微粒尺寸测量,其特征在于包括以下过程:将一束平行光以与基片上表面成第一固定角度θ1照射到表面固定微粒的基片表面,待测微粒在基片表面形成阴影,光学显微镜将此阴影成像到CCD摄像机上,计算机采集并存储第一幅数字图像;之后计算机控制微位移平台沿着Y轴移动一已知距离,再由计算机采集并存储第二幅数字图像;之后将一束平行光以与基片上表面成第二固定角度θ2照射待测微粒的基片表面,待测微粒在基片表面形成阴影,光学显微镜将此阴影成像到CCD摄像机上,计算机采集并存储第三幅数字图像;由第一幅数字图像和第二幅数字图像测得它们之间的Y轴方向位移D,再由微位移平台移动的已知距离计算出光学显微成像系统的放大率β;由第二幅数字图像和第三幅数字图像测得它们之间的位移L,由L/[β(ctgθ2-ctgθ1)]计算出待测微粒距基片表面的高度值。
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