[发明专利]低介电常数高Q值的高频介质陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200810052909.6 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101265095A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;李佳;张平;王洪茹;张志萍 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数高Q值的Mg4Nb2O9高频介质陶瓷，原料组分及质量百分比含量为：MgO 20～50％、Nb2O5 50～80％。制备方法包括：(1)配料；(2)烘干；(3)煅烧熔块；(4)再球磨、烘干；(5)造粒、压制生坯、烧结；(6)涂覆银浆、烧渗电极、焊接引线。本发明的有益效果是提供了一种采用固相制备方法制备的Mg4Nb2O9高频介质陶瓷，其介电常数小于15，微波下测得的Q·f值高于230000(f＝12.123GHz)，简化了该现有的制备工艺，全过程无污染，本发明用于移动通信和卫星通信技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 高频 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低介电常数高Q值的高频介质陶瓷，原料组分及质量百分比含量为：MgO 20～50％、Nb2O5 50～80％。
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