[发明专利]LCOS芯片像素器件结构及其制备方法

摘要

LCOS芯片像素器件结构，在一块P型硅衬底上分别按照行与列平行排布若干个像素单元，每行或每列的像素单元包括一由p+－i－P电容器的上极板、薄膜绝缘层、p+－i－P电容器的下极板共同构成的p⁺－i－P电容器和一NMOS管，所述NMOS管中的NMOS管的漏极与p+－i－P电容器的上极板相连接，每行像素单元中NMOS管的栅极分别向两边延伸直至与左、右两个相邻像素单元中的NMOS管的栅极相连形成一条扫描线，且每行像素单元中的扫描线由一条矩形N型掺杂多晶硅构成；每列像素单元中设置一条信号线，且每列像素单元中NMOS管的源极连接到信号线，并包括所述信号线垂直于所述扫描线。

主权项

1、LCOS芯片像素器件结构，在一块P型硅衬底(1)上分别按照行与列平行排布若干个像素单元，其特征在于，每行或每列的像素单元包括一由p+-i-P电容器的上极板(23)、薄膜绝缘层(6)、p+-i-P电容器的下极板(22)共同构成的p+-i-P电容器(24)和一NMOS管(12)，所述NMOS管(12)中的NMOS管的漏极(8)与p+-i-P电容器的上极板(23)相连接，每行像素单元中NMOS管的栅极(14)分别向两边延伸直至与左、右两个相邻像素单元中的NMOS管的栅极(14)相连形成一条扫描线(31)，且每行像素单元中的扫描线(31)由一条矩形N型掺杂多晶硅构成；每列像素单元中设置一条信号线(32)，且每列像素单元中NMOS管的源极(11)连接到信号线(32)，并包括所述信号线(32)垂直于所述扫描线(31)。