[发明专利]一种超塑性纳米Si3N4基陶瓷材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810054745.0 申请日: 2008-04-03
公开(公告)号: CN101255058A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 骆俊廷 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: C04B35/596 分类号: C04B35/596;C04B35/64
代理公司: 秦皇岛市维信专利事务所 代理人: 鄂长林
地址: 066004河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开一种超塑性纳米Si3N4基陶瓷材料。所述超塑性纳米Si3N4基陶瓷材料,由非晶或晶态纳米氮化硅粉体、纳米氮化铝粉体、纳米碳化硅粉体、纳米氧化铝和纳米氧化钇烧结助剂粉体混合而成。其制备方法是:采用热压烧结或放电等离子烧结;烧结过程与普通氮化硅烧结一样,需抽真空后充入氮气保护;烧结工艺参数为:a热压烧结:烧结温度为1500~1800℃,烧结压力>15MPa,保温时间20min~120min;b放电等离子烧结:烧结温度为900~1300℃,烧结压力>10MPa,保温时间5s~10min。超塑性纳米Si3N4基陶瓷材料晶粒直径在50nm-200nm之间,可热压成型或超塑性成形,解决了复杂形状陶瓷零件难于成形的问题。
搜索关键词: 一种 塑性 纳米 si sub 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超塑性纳米Si3N4基陶瓷材料,其特征是:所述超塑性纳米Si3N4 基陶瓷材料,为非晶或晶态纳米氮化硅粉体、纳米氮化铝粉体、纳米碳化硅粉体、纳米氧化铝和纳米氧化钇烧结助剂粉体混合而成;各粉体的平均晶粒直径为10~100nm,所占质量百分比为:纳米Si3N4:50%~80%;纳米AlN:5%~15%;纳米SiC:5%~15%;纳米Al2O3:5~10%;纳米Y2O3:5~10%。
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