[发明专利]氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 200810055710.9 | 申请日： | 2008-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101197417A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈国聪;王孟源 | 申请（专利权）人： | 普光科技（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龚建华 |
| 地址： | 510530广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管芯片，该芯片包括衬底，在衬底的底面蒸镀有反射膜，该反射膜包括电介质反射膜和金属反射膜，电介质反射膜蒸镀在衬底和金属反射膜之间；本发明还提供该氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括：将芯片的衬底减薄，再在该衬底的底面蒸镀上述反射膜，提高氮化镓基发光二极管芯片的光取出效率；该制作方法还可包括以下步骤：在上述反射膜的底面蒸镀散热层，或者在衬底和反射膜的周围以及反射膜的底面电镀散热层，以提高该发光二极管的稳定性，最终提高其外部发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管芯片，包括衬底，所述衬底的厚度为60～130μm，所述衬底的底面设有反射膜，其特征在于，所述反射膜包括电介质反射膜和金属反射膜，该电介质反射膜设在所述衬底的底面，该金属反射膜设在电介质反射膜的底面。
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